포토공정 CD 질문

Q. 포토공정 CD 질문

반반도체가 미래다

안녕하세요 포토 공정 관련해서 질문이 있어 올립니다. Positive PR로 TFT 게이트 패터닝을 하고 Etching을 하고 나서 보았을때 목표했던 패턴보다 작게 형성되어 문제가 발생한적이 있습니다. 이때 문제점으로 1. 노광시간이 길어서 CD가 감소한것 2. PR adhesion의 문제 3. 현상을 할 때 과하게 PR이 날라가서 추후에 에칭할때 의도하지 않은 부분까지 에칭이 된 문제 이렇게 생각을 했는데 이게 논리적으로 맞는 얘기인지 궁금합니다.. 특히 1번 관련해서 노광시간과 CD에 대한 연관성을 잘 알려주실분 계실까요 ㅜ ㅜ 감사합니다

2025.03.21

답변 2

코
코공정동우텍
코주임 ∙ 채택률 100%
채택된 답변
먼저 확실한 원인을 찾기 위해서는 에칭 후 말고 포토공정 직후 CD를 측정했어야 더 정확할텐데요 포토공정 CD와 무관하게 오버에치 된다면 작게 나올 수 있습니다. 포토공정 CD가 작게 나왔다면 보통 Gate 는 Line pattern 이니까 에너지가 예상보다 많이 들어갔을 것 같구요. E = I x t 입니다. 노광에너지(mJ) = 빛의 세기(W) x 시간(T) 이죠. 노광에너지인 mJ을 높인다는건 W or T를 높인다는걸 얘기합니다. 그래서 시간이 늘어난다면 노광에너지도 늘어났을거고, Line 패턴은 노광에너지가 늘어날수록 CD값이 감소하기에 시간이 늘어나면 CD도 감소하는 것입니다. 2. 말씀하신 adhesion은 CD값과 크게 연관 없습니다. 3. DEV시에 오버 디벨롭 돼서 CD값이 작아지는 경우도 있는데, 생각보다 그렇게 크리티컬하게 바뀌지는 않습니다.
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2025.03.25
r
reinheart우양포토닉스
코부장 ∙ 채택률 52%
1 노광 길면 cd 길어집니다. critical dimension 말씀 맞지요? 2 어드히젼은 큰 차이는 없긴합니다.. 노광 시간이 길면 cd 때문에 low resisitivty 때문인데 시간이 길수록 native oxide 혹은 dendritic, bur로 인해서 전기적 결함이 생길 가능성이 농후합니다.
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2025.03.26
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